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當前位置：首頁(yè) > 產(chǎn)品中心 > > CVD系統 > BTF-1200C-S-PECVD微型PECVD系統管式爐

微型PECVD系統管式爐

簡(jiǎn)要描述：微型PECVD系統，它包括小型真空管式爐，石英真空室、真空抽氣與真空測量系統、氣路系統、射頻電源系統、物料噴射系統。電源范圍寬：0-100W可調； 溫度范圍寬：100-1200度可調；濺射區域寬：0-600mm可調；適用范圍寬:金屬薄膜，陶瓷薄膜等，復合薄膜，連續生長(cháng)各種薄膜等。增加功能容易，可擴展等離子清洗刻蝕等功能。

  • 產(chǎn)品型號：BTF-1200C-S-PECVD
  • 廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)廠(chǎng)家
  • 更新時(shí)間：2024-06-25
  • 訪(fǎng)  問(wèn)  量：1394

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品牌其他品牌價(jià)格區間5萬(wàn)-10萬(wàn)
儀器種類(lèi)管式爐產(chǎn)地類(lèi)別國產(chǎn)
應用領(lǐng)域醫療衛生,環(huán)保,化工,生物產(chǎn)業(yè)

微型PECVD系統，它包括小型真空管式爐，石英真空室、真空抽氣與真空測量系統、氣路系統、射頻電源系統、物料噴射系統。電源范圍寬：0-100W可調； 溫度范圍寬：100-1200度可調；濺射區域寬：0-600mm可調；適用范圍寬:金屬薄膜，陶瓷薄膜等，復合薄膜，連續生長(cháng)各種薄膜等。增加功能容易，可擴展等離子清洗刻蝕等功能。

 

主要特點(diǎn)

 

    1. 薄膜沉積速率高：采用了甚高頻技術(shù)，大大的提高了薄膜的沉積速率，沉積速率可達10Å/S；
    2. 大面積均勻性高：采用了*的多點(diǎn)射頻饋入技術(shù)，特殊氣路分布和加熱技術(shù)等，使得薄膜均勻性指標達到8%；
    3. 一致性高：用半導體行業(yè)的*設計理念，使得一次沉積的各基片之間偏差低于2%；
    4. 工藝穩定性高：高度穩定的設備保證了工藝的連續和穩定；

    5. 選配物料噴射系統，可將原料直接噴射到反應區。

 

技術(shù)參數

 

 

真空管式爐

爐管尺寸：

外徑Φ50×700mm

極限溫度：

1200℃

溫度控制器：

PID自動(dòng)控制晶閘管（可控硅）輸出功率，30段可編程控制器

zui快升降溫速率：

60℃

加熱區：

230mm

恒溫區：

100mm

溫度精度：

±1℃

電源：

單相220V,交流50Hz

 

 

 

多通道流量計控制系統

標準量程：

100，200SCCM；（以氮氣標定，除以上標準外量程可選）

準確度：

±1.5%

工作壓差范圍：

0.1～0.5 MPa

大壓力：

3MPa

接頭類(lèi)型：

Φ6雙卡套不銹鋼接頭

 

 

高真空系統

                   

 

泵體積流量N2：

33 L/S

壓縮比：

≥1011mbar   

實(shí)驗真空值：

≤10-6mbar

功率消耗：

140W

啟動(dòng)時(shí)間：

2min

電源要求：

185-265V AC

射頻電源

信號頻率：

13.56MHz±0.005%W

功率輸出范圍：

0-100W

大反射功率：

10W

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