簡(jiǎn)要描述:前端預熱雙溫區滑軌PECVD:1.工藝流程簡(jiǎn)單。2.生長(cháng)溫度更低。3.實(shí)現快速升溫和降溫。4.輝光均勻等效,均勻生長(cháng)。
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品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類(lèi)別 | 國產(chǎn) |
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應用領(lǐng)域 | 綜合 |
特點(diǎn)及用途:
前端預熱雙溫區滑軌PECVD是借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體,輝光放電等離子體中:電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍,使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應,從而實(shí)現薄膜材料生長(cháng)的一種新的制備技術(shù)。通過(guò)反應氣態(tài)放電,有效地利用了非平衡等離子體的反應特征,從根本上改變了反應體系的能量供給方式,低溫熱等離子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點(diǎn),工藝流程簡(jiǎn)單。
前端預熱雙溫區滑軌PECVD配有前端預加熱爐,輔助固態(tài)源蒸發(fā),后端為單溫區加熱爐 ,溫度控制精確,操作簡(jiǎn)便,對于氣相沉積,二維材料,等離子處理生長(cháng)工藝非常合適,也同樣適用于要求快速升降溫的CVD實(shí)驗。
1.與傳統CVD系統比較,生長(cháng)溫度更低。
2.使用滑軌爐實(shí)現快速升溫和降溫。
3.設備*的zhuan利技術(shù)使得整管輝光均勻等效,均勻生長(cháng)
1.加熱系統
zui高溫度 | 1200℃ |
使用溫度 | ≤1100℃ |
爐膛有效尺寸 | Φ50mm(爐管直徑可根據實(shí)際需要定制) |
爐膛材料 | 氧化鋁、高溫纖維制品 |
熱電偶類(lèi)型 | K型熱電偶 |
控溫精度 | ±1℃ |
控溫方式 | 30段可編程控溫,PID參數自整定 |
加熱長(cháng)度 | 200+200mm |
恒溫長(cháng)度 | 100+100mm |
加熱原件 | 電阻絲 |
供電電源 | 單相,220V,50Hz |
2、預熱系統系統
zui高溫度 | 400℃ |
爐膛有效尺寸 | Φ50mm(爐管直徑可根據實(shí)際需要定制) |
爐膛材料 | 氧化鋁、高溫纖維制品 |
熱電偶類(lèi)型 | K型熱電偶 |
控溫精度 | ±1℃ |
控溫方式 | 30段可編程控溫,PID參數自整定 |
加熱長(cháng)度 | 100mm |
加熱原件 | 電阻絲 |
額定功率 | 800W |
3、PE系統
功率輸出范圍 | 0W~500W |
zui大反射功率 | 100W |
射頻輸出接口 | 50 Ω, N-type, female |
功率穩定度 | ≤5W |
諧波分量 | ≤-50dbc |
供電電壓 | 單相交流(187V-253V) 頻率50/60HZ |
整機效率 | >=70% |
功率因素 | >=90% |
冷卻方式 | 強制風(fēng)冷 |
4、三路質(zhì)子流量控制系統
連接頭類(lèi)型 | 雙卡套不銹鋼接頭 |
標準量程(N2) | 50sccm,100sccm、500sccm (可根據用戶(hù)要求定制) |
準確度 | ±1.5%F.S |
線(xiàn)性 | ±1%F.S |
重復精度 | ±0.2%F.S |
響應時(shí)間 | 氣特性:1~4 Sec,電特性:10 Sec |
工作壓差范圍 | 0.1~0.5 MPa |
zui大壓力 | 3MPa |
接口 | Φ6,1/4'' |
顯示 | 4位數字顯示 |
工作環(huán)境溫度 | 5~45高純氣體 |
壓力真空表 | -0.1~0.15 MPa, 0.01 MPa/格 |
截止閥 | Φ6 |
內外雙拋不銹鋼管 | Φ6 |
5、低真空機組
空氣相對濕度 | ≤85% |
工作環(huán)境 | 5℃~40℃ |
工作電電壓 | 280V |
抽氣速率 | 32m³/h |
極限真空 | 5X10-1Pa(空載冷態(tài)) |
工作壓力范圍 | 1.01325X105~1.33X10-2Pa |
耐壓值 | 0.03MPa |
進(jìn)氣口口徑 | KF40 |
排氣口口徑 | KF40 |
連接方式 | 采用波紋管,手動(dòng)擋板閥與波紋管相連 |
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