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此款設備是快速冷卻卷對卷等離子體增強CVD連續生長(cháng)爐，它由高溫生長(cháng)腔體，質(zhì)量流量計氣路系統，真空機組，RF射頻電源模塊，石英管，冷卻裝置，收放卷的密封裝置，自動(dòng)化控制系統組成，兩端分別安裝有進(jìn)料進(jìn)氣真空腔室和出料排氣真空腔室（即收放卷的密封裝置），收放密封裝置內分別對應安裝有放卷滾輪和收卷滾輪，所輸出料排氣腔體與爐體之間安裝有冷卻裝置。相對于現有技術(shù)具有快速冷卻、連續生長(cháng)的優(yōu)點(diǎn)。

低真空CVD石墨烯生長(cháng)系統是由1200度開(kāi)啟式管式爐、精密的質(zhì)量流量控制系和真空系統所組成。廣泛應用在半導體、納米材料、碳纖維、石墨烯等新材料、新工藝領(lǐng)域。